-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF9393TRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** -140A (continuous)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -560A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **R_DS(on) (Max):** 4.5mΩ (at V_GS = -10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4500pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  

### **Description:**  
The IRF9393TRPBF is a P-channel MOSFET designed for high-current, low-voltage applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching speed  
- Robust and reliable performance in harsh environments  
- Lead-free and RoHS compliant  

For detailed electrical characteristics, refer to the official datasheet from Infineon Technologies.

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