-25A, -80V and -100V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFETs The IRF9151 is a power MOSFET manufactured by HARRIS (Harris Corporation). Below are the factual specifications, descriptions, and features from the available knowledge base:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** HARRIS (Harris Corporation)  
- **Type:** P-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -14A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 180pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 65pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 25pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Rise Time (t_r):** 45ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Fall Time (t_f):** 25ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**
- The IRF9151 is a P-Channel MOSFET designed for high-speed switching and power amplification applications.  
- It is suitable for use in power supplies, motor control, and other high-efficiency switching circuits.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal power loss.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **High Voltage Capability:** Supports up to -60V drain-source voltage.  
- **Robust Thermal Performance:** TO-220AB package provides efficient heat dissipation.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances reliability in rugged conditions.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.