25A/ -100V/ 0.150 Ohm/ P-Channel Power MOSFET The IRF9150 is a P-channel Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -100V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -12A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  

### **Description:**  
The IRF9150 is a P-channel MOSFET designed for high-speed switching and power management applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET® technology for efficient power handling  
- Low gate charge for improved switching efficiency  
- High ruggedness and reliability  
- Low thermal resistance  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.