P-CHANNEL POWER MOSFETS The IRF9131 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **IRF9131 Specifications:**  
- **Type:** P-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -48A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.4Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 40ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  

### **Description:**  
- The IRF9131 is a high-voltage P-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures efficient power handling.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **High Voltage Rating:** Supports up to -100V drain-source voltage.  
- **Robust Design:** Capable of handling high current and power dissipation.  
- **TO-220 Package:** Provides good thermal performance.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.