20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF8915 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 42A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.023Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **Package:** TO-220AB  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency switching applications.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency power conversion.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation:** Ensures reliable performance in linear applications.  
- **Applications:**  
  - DC-DC Converters  
  - Motor Control  
  - Power Supplies  
  - Switching Regulators  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For precise design and application details, refer to the official IRF8915 datasheet.