HEXFET Power MOSFET The IRF8910PBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.23Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 18nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF8910PBF is a high-performance N-Channel MOSFET designed for switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management in various electronic circuits.  

### **Features:**  
- Low gate charge for improved switching efficiency  
- Fast switching performance  
- High current capability  
- Low thermal resistance  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance characteristics, refer to Infineon’s official documentation.