30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF8788TRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF8788TRPBF  

### **Description:**  
The IRF8788TRPBF is a N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Key Features:**  
- **Technology:** HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 195A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 390A  
- **R_DS(on) (Max):** 1.3 mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Management  
- High-Current Switching Circuits  

This MOSFET is designed for high-performance power applications requiring low conduction losses and efficient thermal management.