30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF8736TRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRF8736TRPBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET®  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 140A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 560A  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5400pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 2100pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions and Features:**  
- **High Current Handling:** Capable of handling up to 140A continuous drain current.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses with R_DS(on) as low as 1.2mΩ.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-efficiency power switching applications.  
- **Robust Design:** HEXFET® technology ensures high reliability and performance.  
- **Avalanche Energy Rated:** Suitable for rugged applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.