30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF8736 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 140A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 560A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W @ 25°C  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8mΩ @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 6000pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 2000pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The IRF8736 is a high-performance N-channel power MOSFET designed for low-voltage, high-current switching applications. It features ultra-low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor drives, and other high-efficiency applications.

### **Features:**
- **Low R_DS(on):** Minimizes conduction losses.  
- **High Current Handling:** Supports up to 140A continuous current.  
- **Optimized Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness in inductive load applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.