30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF8721 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRF8721  

### **Description:**  
The IRF8721 is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low gate charge and low on-resistance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-frequency switching circuits.  

### **Key Features:**  
- **Technology:** Advanced HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.7mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 55nC (typical at V_DS = 15V, V_GS = 10V)  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220 (Through-Hole)  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Supplies  
- Synchronous Rectification  

This information is based on Infineon's official datasheet for the IRF8721. For detailed performance curves and application notes, refer to the manufacturer's documentation.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package