HEXFET Power MOSFET The IRF8707PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRF8707PBF  
### **Type:** N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 9.3mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 240pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 40ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 175°C  

### **Package:** TO-220AB  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Optimized for high efficiency and low switching losses.  
- **Low On-Resistance:** Enhances power efficiency in high-current applications.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in rugged environments.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- Automotive systems  
- High-power switching circuits  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.