Halogen Free and Lead Free 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF8707GTRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF8707GTRPBF  

### **Description:**  
The IRF8707GTRPBF is a N-Channel Power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is optimized for low gate charge and low on-resistance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and other power management applications.  

### **Key Specifications:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **R_DS(on) (Max):** 4.5 mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3700pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 130pF  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **Type:** D2PAK (TO-263)  
- **Termination:** Lead-Free, RoHS Compliant  

### **Features:**  
- Low On-Resistance (R_DS(on))  
- Fast Switching Performance  
- Low Gate Charge for Improved Efficiency  
- 100% Avalanche Tested  
- Improved dv/dt Capability  
- Lead-Free and Halogen-Free  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical specifications. For detailed application guidelines, refer to the official documentation from Infineon Technologies.