Halogen Free and Lead Free 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF8707GTRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF8707GTRPBF  

### **Description:**  
The IRF8707GTRPBF is a N-Channel Power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is optimized for low gate charge and low on-resistance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and other power management applications.  

### **Key Specifications:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **R_DS(on) (Max):** 4.5 mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3700pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 130pF  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **Type:** D2PAK (TO-263)  
- **Termination:** Lead-Free, RoHS Compliant  

### **Features:**  
- Low On-Resistance (R_DS(on))  
- Fast Switching Performance  
- Low Gate Charge for Improved Efficiency  
- 100% Avalanche Tested  
- Improved dv/dt Capability  
- Lead-Free and Halogen-Free  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical specifications. For detailed application guidelines, refer to the official documentation from Infineon Technologies.

Halogen Free and Lead Free 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package