30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF8707 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 84A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 330A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 9.3mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_G):** 110nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1000pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **Package Type:** TO-220AB  
- **Mounting Type:** Through Hole  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures ruggedness in inductive load conditions.  
- **Improved dv/dt Capability:** Enhances performance in switching circuits.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Supplies  
- Switching Regulators  
- Automotive Systems  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRF8707 MOSFET.