N-Channel Power MOSFETs/ 8A/ 450 V/500V The IRF841 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are the factual specifications, descriptions, and features of the IRF841:

### **Specifications:**
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 32A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.85Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package:**
- **TO-220AB** (Through-hole package)  

### **Descriptions:**
- The IRF841 is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is optimized for fast switching and low on-resistance.  
- Suitable for high-efficiency power conversion circuits.  

### **Features:**
- **High Voltage Capability (500V)**  
- **Low On-Resistance (0.85Ω max)**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Low Gate Charge**  
- **High Input Impedance**  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet for the IRF841 MOSFET.