500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF840S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 32A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 4V (typical)  
- **Drain-Source On-Resistance (R_DS(on)):** 0.85Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  

### **Description:**  
- The IRF840S is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications.  
- It is optimized for efficiency in power supplies, motor control, and other switching circuits.  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Designed for high-speed operation.  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses.  
- **High Voltage Capability:** Suitable for 500V applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load switching.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.