500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF840PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRF840PBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 32A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W @ 25°C  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.85Ω @ V_GS = 10V, I_D = 4.3A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1300pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 80pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-speed switching applications.  
- Low gate charge for improved efficiency.  
- Avalanche energy specified for ruggedness.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for power supplies, motor control, and inverters.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.