500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF840LCSTRL is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:
### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  
### **Description:**  
The IRF840LCSTRL is an N-channel Power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is part of the HEXFET® power MOSFET series, known for efficiency and reliability in power management.  
### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 8A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 32A  
- **Power Dissipation (PD):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.85Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1100pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typ)  
- **Rise Time (tr):** 30ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 55ns (typ)  
- **Fall Time (tf):** 20ns (typ)  
### **Features:**  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed applications.  
- **Low Gate Charge:** Enhances efficiency in switching circuits.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in rugged environments.  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses.  
- **TO-262 (D2PAK) Package:** Suitable for surface-mount applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, inverters, and other high-voltage switching applications.  
(Note: All values are based on manufacturer datasheets and may vary under different operating conditions.)