N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET The IRF840I is a power MOSFET manufactured by AP (Advanced Power Technology). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 8A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 32A  
- **Power Dissipation (PD):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.85Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1100pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typ)  
- **Rise Time (tr):** 30ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 55ns (typ)  
- **Fall Time (tf):** 20ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRF840I is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is optimized for efficiency and reliability in power conversion circuits, motor control, and other industrial applications.

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Supports up to 500V drain-source voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances performance in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in rugged environments.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces susceptibility to voltage transients.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.