500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF840AS is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The IRF840AS is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is part of the HEXFET® family, known for low on-resistance and high efficiency.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 32A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.85Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 80pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed applications.  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power conversion.  
- **Avalanche Rated:** Improved ruggedness under inductive loads.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces spurious triggering.  
- **TO-220 Package:** Standard through-hole mounting.  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- Inverters  
- High-frequency applications  

This information is based strictly on the manufacturer's datasheet and technical documentation.