N-CHANNEL POWER MOSFET The IRF840A is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 32A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.85Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2–4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 80pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 35ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 30ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRF840A is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is commonly used in power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 500V rating for robust performance.  
- **Low Gate Charge:** Enables fast switching.  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances reliability in harsh conditions.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces false triggering risks.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is sourced from Fairchild's datasheet for the IRF840A. No additional guidance or suggestions are provided.