N-Channel Power MOSFETs/ 4.5 A/ 450V/500V The IRF833 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its key specifications, descriptions, and features:  
### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 4.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 18A  
- **Power Dissipation (PD):** 125W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 1.5Ω (at VGS = 10V, ID = 2.25A)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 600pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 150pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 30pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 70ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-hole package with three leads: Gate, Drain, Source)  
### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Suitable for 500V applications.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Low Gate Charge:** Enhances efficiency in switching circuits.  
- **Avalanche Energy Rated:** Can handle transient voltage spikes.  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses.  
### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- Electronic ballasts  
- Inverters  
This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRF833 MOSFET.