30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF8313TRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRF8313TRPBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Power Dissipation (P_D):** 79W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 20ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 15ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions and Features:**
- **High Current Handling:** Capable of handling up to 50A continuous drain current.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses for improved efficiency.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in rugged environments.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Applications:** Suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and switching regulators.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet. For detailed performance characteristics, refer to the official documentation from Infineon Technologies.

30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF8313TRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF8313TRPBF  

### **Description:**  
The IRF8313TRPBF is a N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low gate charge and fast switching performance.  

### **Key Features:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **R_DS(on) (Max):** 3.5mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management  
- Switching regulators  

### **Additional Notes:**  
- Low gate charge for improved switching efficiency  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is sourced from Infineon's official datasheet for the IRF8313TRPBF.

30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package