N-Channel Power MOSFETs/ 4.5 A/ 450V/500V The IRF831 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 18A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 400pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRF831 is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for high-speed switching applications. It is commonly used in power supplies, motor control, and other high-voltage circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (500V)**  
- **Low On-Resistance**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **TO-220 Package for Easy Mounting**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.