500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF830AS is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Description:**  
- The IRF830AS is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications.  
- It is part of the HEXFET® power MOSFET family, known for efficient power handling and low on-resistance.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 18A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 45pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  

### **Features:**  
- **Fast Switching Speed** – Optimized for high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge** – Enhances efficiency in switching circuits.  
- **Avalanche Energy Rated** – Provides robustness in inductive load applications.  
- **Low On-Resistance** – Reduces conduction losses.  
- **TO-220 Package** – Standard through-hole mounting for easy integration.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.