500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF830APBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The IRF830APBF is an N-channel MOSFET designed for high-speed switching applications. It is part of the HEXFET® Power MOSFET family, known for efficient power handling and reliability.  

### **Key Features:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 500V  
- **Current Rating (I_D):** 4.5A (continuous at 25°C)  
- **R_DS(on) (Drain-Source On-Resistance):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V (max)  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W (at 25°C)  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **Low Gate Charge (Q_g):** 18nC (typical)  
- **Low Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **TO-220AB Package**  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- Inverters  

This MOSFET is designed for high-voltage, medium-current applications with efficient switching performance.

500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF830APBF is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** IRF830APBF  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 18A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRF830APBF is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications. It is suitable for power supplies, motor control, and other high-voltage switching circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (500V)**  
- **Low Gate Charge**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.