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IRF830AL from IOR,International Rectifier

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15.625ms

IRF830AL

Manufacturer: IOR

500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF830AL IOR 50 In Stock

Description and Introduction

500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRF830AL is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 4.5A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 18A  
- **Power Dissipation (PD):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 1.5Ω (max) at VGS = 10V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 100pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 55ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **N-Channel Power MOSFET**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-220AB Package**  

These are the verified specifications and features of the IRF830AL MOSFET.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF830AL IR 41 In Stock

Description and Introduction

500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRF830AL is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Description:**  
The IRF830AL is an N-channel HEXFET® Power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is optimized for low gate charge and low on-resistance, making it suitable for power management in various electronic circuits.  

### **Key Features:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 4.5A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 18A  
- **Power Dissipation (PD):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 1.5Ω (max) at VGS = 10V  
- **Total Gate Charge (Qg):** 18nC (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 500pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 50pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 20pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (tr):** 35ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 55ns (typical)  
- **Fall Time (tf):** 20ns (typical)  
- **Avalanche Energy (EAS):** 200mJ  

### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-Hole Mounting)  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- Inverters  
- High-voltage power management  

This information is based on the manufacturer's datasheet and specifications.

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