IRF830AL

500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRF830AL is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Description:**  
The IRF830AL is an N-channel HEXFET® Power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is optimized for low gate charge and low on-resistance, making it suitable for power management in various electronic circuits.  

### **Key Features:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 18A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 18nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 35ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 200mJ  

### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-Hole Mounting)  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- Inverters  
- High-voltage power management  

This information is based on the manufacturer's datasheet and specifications.

500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package