N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 1.9A The IRF822FI is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 10A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3Ω (typical at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 25pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  

### **Descriptions:**  
- **Technology:** N-channel MOSFET  
- **Package:** TO-220FP (fully insulated)  
- **Application:** Designed for high-voltage switching applications, including power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Suitable for 500V applications.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching.  
- **Low Gate Charge:** Enhances efficiency in high-frequency circuits.  
- **Avalanche Rated:** Robust against inductive load switching.  
- **Fully Insulated Package:** Provides electrical isolation for improved thermal performance.  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet for the IRF822FI.