N-channel enhancement-mode power field-effect transistor. Drain-sourge voltage 500V. Continuous drain current(at Tc 25deg) 2.0A. The IRF822 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:** STMicroelectronics  
### **Part Number:** IRF822  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 10A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Drain-Source On-Resistance (R_DS(on)):** 3Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 25pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 70ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRF822 is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is suitable for use in power supplies, motor control, and other switching circuits requiring efficient performance.  

### **Features:**  
- High voltage capability (500V)  
- Low gate charge  
- Fast switching speed  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche ruggedness  

The device is available in a TO-220 package for easy mounting and heat dissipation.  

(Note: All specifications are based on the manufacturer's datasheet.)