500V N-Channel MOSFET The IRF820B is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 10A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 190pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 25pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 7pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 14ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 60ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRF820B is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is suitable for use in power supplies, motor control, and other switching circuits requiring efficient performance.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (500V)**  
- **Low Gate Charge (15nC typical)**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Low Input Capacitance**  
- **TO-220 Package for Easy Mounting**  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the IRF820B.