500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF820AS is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Description:**  
The IRF820AS is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is part of IR's HEXFET® power MOSFET series, offering low on-state resistance and high efficiency.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 10A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.0Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 180pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 35pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 8pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  

### **Features:**  
- **HEXFET® Technology** – Provides high efficiency and ruggedness.  
- **Fast Switching Speed** – Suitable for high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge** – Enhances switching performance.  
- **Avalanche Energy Rated** – Ensures robustness in inductive load conditions.  
- **TO-220AB Package** – Standard through-hole mounting for easy integration.  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- Inverters  
- High-voltage power management  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.