500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRF820AL is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2.5A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 10A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W @ 25°C  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.0Ω @ V_GS = 10V, I_D = 1.25A  
- **Input Capacitance (C_iss):** 250pF @ V_DS = 25V, V_GS = 0V  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF @ V_DS = 25V, V_GS = 0V  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF @ V_DS = 25V, V_GS = 0V  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRF820AL is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is commonly used in power supplies, motor control, and other switching circuits requiring efficient performance.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 500V drain-source voltage rating.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness in inductive load conditions.  
- **TO-220AB Package:** Provides good thermal performance and ease of mounting.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.