500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF820A is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRF820A  

### **Type:**  
N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 10A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.0Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 14ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 180pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 30pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 8pF (typical)  

### **Package:**  
TO-220AB (Through-Hole)  

### **Description:**  
The IRF820A is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for fast switching and high-efficiency power applications. It is commonly used in power supplies, motor control, and switching regulators.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (500V)**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge (Qg)**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Low On-Resistance**  

This information is sourced from the manufacturer's official datasheet. For detailed application notes, refer to IR's documentation.

500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package