POWER MOSFET The IRF820 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Key Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2.5A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 10A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W @ 25°C  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.0Ω @ V_GS = 10V, I_D = 1.25A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V to 4.0V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 30pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  

### **Description:**
The IRF820 is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, fast-switching applications. It is suitable for use in power supplies, motor control, and other switching circuits requiring efficient performance.

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** 500V breakdown voltage  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency operation  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness in inductive load applications  
- **TO-220 Package:** Standard through-hole mounting for easy assembly  

The device is RoHS compliant and adheres to industry-standard specifications for power MOSFETs.  

(Source: International Rectifier IRF820 Datasheet)