30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free SO-8 package designed and qualified for the consumer market The IRF8113UTRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF8113UTRPBF  

### **Description:**  
The IRF8113UTRPBF is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is part of Infineon’s HEXFET® power MOSFET series, optimized for low on-state resistance and fast switching performance.  

### **Key Features:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 30V  
- **Current Rating (I_D):** 70A (continuous) at 25°C  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.0 mΩ (typical) at V_GS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (typical)  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  
- **Avalanche Energy Rated (E_AS):** Yes  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge (Q_g)**  
- **100% Avalanche Tested**  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Management  
- Switching Power Supplies  
- Automotive Systems  

This MOSFET is suitable for high-current, high-efficiency power switching applications.