30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF8113TR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRF8113TR  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 104A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.3mΩ (at V_GS = 10V, I_D = 52A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (typical)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 150nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The IRF8113TR is a high-current N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It is optimized for low on-resistance and high switching performance.  
- Suitable for automotive, industrial, and consumer applications.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses.  
- High current handling capability.  
- Fast switching performance.  
- Avalanche energy specified for ruggedness.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and product specifications.