30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF8113PBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 98A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 390A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.3mΩ (at V_GS = 10V, I_D = 50A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 450pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  

### **Package:**  
TO-220AB (Through-Hole)  

### **Description:**  
The IRF8113PBF is a high-current, low-on-resistance N-channel MOSFET designed for power management applications. It is optimized for high efficiency and fast switching performance.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency in power conversion.  
- **High Current Handling:** Suitable for high-power applications.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in harsh conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V drive signals.  

This MOSFET is commonly used in DC-DC converters, motor control, and power supply applications.