IRF8113

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF8113 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 98A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 390A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1200pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 350pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The IRF8113 is a high-current, low-on-resistance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is optimized for high efficiency and fast switching performance.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current handling capability** for power applications.  
- **Fast switching speed** for improved efficiency.  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness in harsh conditions.  
- **TO-220AB package** for easy mounting and heat dissipation.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For precise application details, refer to the official documentation.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package