IRF8010STRLPBF

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2Pak package The IRF8010STRLPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The IRF8010STRLPBF is an N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is part of the HEXFET® Power MOSFET family, known for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.022Ω @ V_GS = 10V  
- **Total Power Dissipation (P_D):** 48W @ 25°C  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 80pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns  

### **Features:**  
- Low gate charge for fast switching  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Package:**  
- **TO-252 (DPAK)** surface-mount package  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management in automotive and industrial systems  
- Switching regulators  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official Infineon documentation.

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2Pak package