IRF7822

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7822 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.0mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 79W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** DirectFET® (a surface-mount power package)  

### **Descriptions:**  
- The IRF7822 is a N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is optimized for low-voltage, high-current applications such as DC-DC converters, synchronous rectification, and motor control.  
- The DirectFET package offers improved thermal performance and reduced PCB footprint compared to traditional packages.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency in power conversion.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in transient conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

For detailed datasheet information, refer to the manufacturer's documentation.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package