IRF7807Z

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7807Z is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.3mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) to 2.5V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typ) at V_DS = 15V, V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-hole package)  

### **Description:**  
The IRF7807Z is an N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It offers low on-resistance and high current handling, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management systems.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **Fast switching performance**  
- **High current capability**  
- **Avalanche ruggedness**  
- **Lead-free and RoHS compliant**  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed application notes, refer to Infineon’s official documentation.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package