IRF7807VD1PBF

30V FETKY The IRF7807VD1PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Technology:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 62A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 250A  
- **RDS(ON) (Max):** 4.5mΩ (at VGS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-state resistance (RDS(ON)) for reduced conduction losses.  
- Optimized for synchronous rectification in DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low Gate Charge (Qg):** Enhances switching performance.  
- **Avalanche Energy Specified:** Improves ruggedness in inductive load applications.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

30V FETKY