IRF7751

-30V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSSOP-8 package The IRF7751 is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 130A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 520A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 10V:** 1.3mΩ  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 4.5V:** 1.8mΩ  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.5V (Min), 2.35V (Max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 150nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 9000pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 3000pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
- The IRF7751 is a high-current N-channel MOSFET designed for power management applications.  
- It is optimized for low on-resistance and high switching performance.  
- Suitable for synchronous rectification in DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency power applications.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
- **High Current Handling:** Supports up to 130A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Provides ruggedness under transient conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

For exact datasheet details, refer to the official Infineon documentation.

-30V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSSOP-8 package