IRF7606

-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7606 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 12A (continuous at 25°C)  
- **Power Dissipation (PD):** 45W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.015Ω (max at VGS = 10V)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (min) to 2V (max)  
- **Gate Charge (Qg):** 28nC (typical at VGS = 10V)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 600pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 100pF (typical)  
- **Avalanche Energy (EAS):** 50mJ  

### **Description:**  
The IRF7606 is an N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.

### **Features:**  
- **Low RDS(on) for reduced conduction losses**  
- **Fast switching speed**  
- **Avalanche energy rated for ruggedness**  
- **Logic-level gate drive compatibility (VGS = 4.5V min)**  
- **Lead-free and RoHS compliant**  
- **TO-220AB package for easy mounting**  

For exact performance characteristics, always refer to the official datasheet.

-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package