IRF7603

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7603 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its IOR (Input/Output Resistance) specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7603  

### **Description:**  
The IRF7603 is a N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low gate charge and low on-resistance (RDS(on)), making it suitable for power management in various electronic circuits.  

### **Features:**  
1. **Low On-Resistance (RDS(on)):**  
   - Typically 0.045 Ω (at VGS = 10 V, ID = 6.5 A)  
   - Ensures minimal power loss and high efficiency.  

2. **Fast Switching Speed:**  
   - Low gate charge (Qg) for improved switching performance.  

3. **Voltage Rating:**  
   - Drain-to-Source Voltage (VDS): 30 V  
   - Gate-to-Source Voltage (VGS): ±20 V  

4. **Current Handling:**  
   - Continuous Drain Current (ID): 6.5 A (at 25°C)  
   - Pulsed Drain Current (IDM): 26 A  

5. **Low Gate Drive Requirements:**  
   - Compatible with logic-level and standard MOSFET drivers.  

6. **Package Type:**  
   - Available in a compact DPAK (TO-252) package for efficient thermal performance.  

7. **Applications:**  
   - DC-DC converters  
   - Power supplies  
   - Motor control  
   - Load switching  

### **Note:**  
For exact IOR (Input/Output Resistance) specifications, refer to the datasheet, as this parameter may vary based on operating conditions.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and product documentation.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package