IRF7601

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7601 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 26A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.065Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 700pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**
- The IRF7601 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and other power management applications.  
- The device is housed in a TO-220AB package, providing efficient thermal dissipation.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **High Current Handling:** Supports up to 6.5A continuous drain current.  
- **Robust Design:** Capable of handling high power dissipation (40W).  
- **Wide Operating Temperature Range:** Suitable for industrial and automotive applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package