IRF7555

-20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7555 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.4A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 38A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.13Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 700pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 110pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 36ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The IRF7555 is an N-channel Power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is optimized for low on-resistance and high current handling, making it suitable for power management in various electronic circuits.

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal power loss.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **High Current Capability:** Supports high power applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control signals (with sufficient V_GS).  
- **TO-220 Package:** Facilitates easy mounting and heat dissipation.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.

-20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package