20V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7507PBF is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Rise Time (t_r):** 45ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Fall Time (t_f):** 25ns  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRF7507PBF is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power conversion in various electronic systems.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency  
- **High Current Handling Capability** (80A continuous, 320A pulsed)  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load applications  
- **TO-220 Package** for easy mounting and heat dissipation  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical specifications.