-30V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7506TRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7506TRPBF  

### **Description:**  
The IRF7506TRPBF is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Key Features:**  
- **Voltage Rating (VDS):** 60V  
- **Current Rating (ID):** 6.5A (continuous) at 25°C  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.045Ω (max) at VGS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
- **Power Dissipation (PD):** 38W  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **Low Gate Charge (Qg)**  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Management  
- Switching Power Supplies  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed technical specifications, refer to the official Infineon documentation.

-30V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7506TRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6.0mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Gate Charge (Q_g):** 130nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5400pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **Type:** TO-220AB (Through-Hole)  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for high efficiency  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation**  
- **Optimized for High Current Applications**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.