-30V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7506 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRF7506  

### **Description:**  
The IRF7506 is an N-channel HEXFET power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  

### **Key Features:**  
- **Voltage Rating:** 60V  
- **Current Rating:** 6.5A (continuous drain current)  
- **RDS(on):** 0.055Ω (typical at VGS = 10V)  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge (Qg)**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **TO-220AB Package**  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- High-efficiency power management  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed electrical characteristics and performance curves, refer to the official IRF7506 datasheet.

-30V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7506 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 25A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 70pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns  
- **Rise Time (t_r):** 15ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions & Features:**
- Designed for high-efficiency switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed for improved performance.  
- Avalanche energy specified for ruggedness.  
- Suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other power applications.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRF7506.

-30V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7506 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available knowledge:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 26A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (typical at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 450pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 120pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 35ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  

### **Descriptions:**  
- The IRF7506 is a high-speed N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed for improved efficiency.  
- High current handling capability.  
- Avalanche energy rated for ruggedness in inductive load applications.  
- Low gate charge for efficient drive circuitry.  
- TO-220AB package for easy mounting and heat dissipation.  

This information is based on standard datasheet specifications for the IRF7506 MOSFET. For precise details, always refer to the official manufacturer documentation.

-30V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7506 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
### **Part Number:** IRF7506  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 26A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 400pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 15ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typ)  

### **Description:**  
The IRF7506 is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for low conduction losses  
- **Low Gate Charge** for fast switching  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness  
- **Fully Characterized for Dynamic dV/dt Rating**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.