IRF7506

-30V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7506 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available knowledge:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 26A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (typical at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 450pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 120pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 35ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  

### **Descriptions:**  
- The IRF7506 is a high-speed N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed for improved efficiency.  
- High current handling capability.  
- Avalanche energy rated for ruggedness in inductive load applications.  
- Low gate charge for efficient drive circuitry.  
- TO-220AB package for easy mounting and heat dissipation.  

This information is based on standard datasheet specifications for the IRF7506 MOSFET. For precise details, always refer to the official manufacturer documentation.

-30V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package