-20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7504PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 23A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 80pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The IRF7504PBF is designed for high-efficiency switching applications.  
- It is optimized for low gate drive requirements and fast switching speeds.  
- Suitable for power management, DC-DC converters, and motor control applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power conversion.  
- **Fast Switching:** Improves performance in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in rugged environments.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **TO-220 Package:** Ensures easy mounting and thermal performance.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to Infineon's official documentation.